- Haval укрепляет позиции в России: доля... (5377)
- Охлаждение комнаты за 30 секунд, нагрев — за... (6069)
- Спутниковый интернет из автомата: SpaceX... (5514)
- Xiaomi расширяет обновление HyperOS 3:... (4614)
- В Белоруссии стартовали продажи новой Lada... (9036)
- Google научила Pixel Watch 4 понимать новые... (3768)
- Xiaomi представила стирально-сушильную... (3658)
- SpaceX начала продавать антенны для... (3770)
- Microsoft выпустила последнее обновление для... (4535)
- Китай установил рекорд — три успешных... (3854)
- Китай установил рекорд — три успешных... (4979)
- 10 000 люмен и управление через HyperOS:... (3796)
- Новая статья: Обзор ноутбука TECNO MEGABOOK... (5234)
- «Словно игра моей мечты со SNES»: динамичный... (9710)
- AMD представила процессоры EPYC Embedded... (4832)
- Дефицит добрался и до лазеров: NVIDIA... (3610)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...