- Сразу две бюджетные новинки с аккумуляторами... (3997)
- Pebble представила Index 01 — умное кольцо с... (5009)
- Европейский регулятор «засветил» неуловимый... (3906)
- МЕТАния M**a: Цукерберг запутал стратегию ИИ... (3596)
- Флагман iQOO 15 поступил в продажу в России:... (3921)
- Asus заверила, что с ROG Matrix RTX 5090 всё... (5730)
- Огромный, но нетяжёлый планшет с... (5563)
- Samsung перекроила оболочку One UI 8.5 в... (5810)
- Вашим чипам здесь не рады: Китай хочет... (3437)
- Dell переплюнула Apple и оценила 16 ГБ ОЗУ в... (5389)
- Ремейк Frostpunk позволит установить «более... (3513)
- Россияне закупаются подержанными Hyundai... (4083)
- Новый Core Ultra X9 388H всего с четырьмя... (3295)
- Полностью модульные и разборные наушники... (4266)
- 147 л.с., 6-ступенчатая коробка передач,... (3891)
- iFixit выпустила приложение с ИИ-помощником... (3822)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...