- А кому нужно разрешение 720p на 27-дюймовом... (4288)
- Австралия запретила YouTube и все соцсети... (5863)
- Глава Valve Гейб Ньюэлл выпустит свой первый... (4158)
- В США изобрели углеродно-отрицательный... (5437)
- Первый в мире планшет с Ryzen AI Max+ 395 и... (5212)
- «Bethesda никогда не меняется»: юбилейное... (10646)
- Сразу две бюджетные новинки с аккумуляторами... (4003)
- Pebble представила Index 01 — умное кольцо с... (5015)
- Европейский регулятор «засветил» неуловимый... (3915)
- МЕТАния M**a: Цукерберг запутал стратегию ИИ... (3606)
- Флагман iQOO 15 поступил в продажу в России:... (3931)
- Asus заверила, что с ROG Matrix RTX 5090 всё... (5744)
- Огромный, но нетяжёлый планшет с... (5576)
- Samsung перекроила оболочку One UI 8.5 в... (5814)
- Вашим чипам здесь не рады: Китай хочет... (3441)
- Dell переплюнула Apple и оценила 16 ГБ ОЗУ в... (5395)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...