- Новый Core Ultra X9 388H всего с четырьмя... (3299)
- Полностью модульные и разборные наушники... (4270)
- 147 л.с., 6-ступенчатая коробка передач,... (3894)
- iFixit выпустила приложение с ИИ-помощником... (3826)
- Google расширила программу бесплатного... (3907)
- Совершенно новый рамный внедорожник с... (4648)
- Galaxy Z TriFold мог бы выглядеть так.... (3839)
- PS Store случайно рассекретил, что в... (3654)
- GigaChat Сбера получил диплом... (4244)
- Samsung Galaxy S26 Ultra сертифицируют в... (3738)
- Biwin выпустила первый в мире Mini SSD —... (4426)
- Разработчик «виртуальных» процессоров... (3242)
- Великобритания и Норвегия защитят подводные... (3676)
- Гендир EngineAI рискнул здоровьем и вышел на... (4927)
- «Фирма Мелодия» возобновила производство... (4108)
- Chery впервые за многие годы вылетела из... (4004)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...