- В США задержаны двое подозреваемых в... (3335)
- Nvidia вернётся в Китай: Трамп разрешил... (5398)
- Трамп согласился разрешить Nvidia поставлять... (4709)
- «Планов нет»: Google резко опровергла слухи... (3709)
- Google ответила на утверждения СМИ о том,... (3082)
- Google ответила на утверждения СМИ о том,... (3377)
- Honor готовит к выпуску «робот-смартфон» с... (3984)
- Прототип нового BMW X7 2027 замечен по... (3851)
- Дешевый седан Nissan Versa 2027 раскрыт... (4132)
- LG выпустила игровой монитор UltraGear... (5680)
- Apple удержала самого важного инженера:... (5473)
- Android XR позволит погружаться в любые... (3197)
- Европейцы отказываются от немецких... (3519)
- 6500 мАч, 90 Вт, IP69, 50-мегапиксельная... (3361)
- На смену литий-железо-фосфатным батареям... (3222)
- Google подготовила Chrome к внедрению... (4916)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...