- Apple удержала самого важного инженера:... (5515)
- Android XR позволит погружаться в любые... (3213)
- Европейцы отказываются от немецких... (3554)
- 6500 мАч, 90 Вт, IP69, 50-мегапиксельная... (3379)
- На смену литий-железо-фосфатным батареям... (3245)
- Google подготовила Chrome к внедрению... (4940)
- Новая статья: Обзор умных часов Pebble 2... (5592)
- Календарь релизов 8 – 14 декабря: Terminator... (4380)
- В России запущена облачная платформа... (5444)
- 250 организаций требуют от Конгресса США... (3287)
- В России украли партию предоплаченных... (4247)
- Искусственный интеллект спас миссии NASA на... (5755)
- Астрономы обнаружили одну из крупнейших... (5763)
- Световое загрязнение от Starlink может... (3576)
- «Как преследовать свою бывшую?» — Grok... (5531)
- Google показала Xreal Project Aura —... (3221)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...