- Пожароопасный разъём 12V-2x6 можно заметно... (3638)
- Blue Origin представила устройство, которое... (3557)
- В США могут построить «промышленные парки... (4112)
- Спустя 2,5 месяца после выхода Xiaomi 17:... (4222)
- Катастрофа на рынке памяти может затянуться... (4063)
- Microsoft разрешила обновлять до Windows 11... (4004)
- «Пузыря нет, но рост ненормальный»: глава SK... (3822)
- 328 л.с., 7-местный салон и полный привод. В... (3173)
- MaxSun представила компактную, но мощную... (3163)
- Первый в России беспилотный поезд метро... (3802)
- «Стараемся делать всё как можно быстрее»:... (3280)
- ИИ-модели готовы признаться в своих грешках,... (3337)
- Foxconn не прекращает снимать сливки с... (2560)
- США проверят, не обманула ли TP-Link... (2644)
- Солнце готовит сюрприз? Крупнейшие солнечные... (3162)
- ЕС оштрафовал X на €120 млн за «обманки» в... (4133)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...