- Электронная книга в формате смартфона и с... (3038)
- Монструозные процессоры AMD станут немного... (3735)
- Японцы придумали «полицейский радар для... (3223)
- The New York Times обвинила ИИ-стартап... (3472)
- Это системная плата или произведение... (3396)
- Apple теряет топ-менеджеров, а таланты бегут... (2858)
- Значимые решения, никакого руководства и... (2761)
- Аккумуляторы по 57 и 42 мАч. Такие получат... (3213)
- Соавтор Fallout спустя пять лет вернулся в... (4105)
- Это настолько маленькая электронная книга,... (3572)
- Пожароопасный разъём 12V-2x6 можно заметно... (3655)
- Blue Origin представила устройство, которое... (3571)
- В США могут построить «промышленные парки... (4130)
- Спустя 2,5 месяца после выхода Xiaomi 17:... (4239)
- Катастрофа на рынке памяти может затянуться... (4086)
- Microsoft разрешила обновлять до Windows 11... (4023)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...