- Марс не был пустыней: учёные впервые описали... (3043)
- Суд запретил Google заключать многолетние... (2496)
- В США при загадочных обстоятельствах исчез... (3335)
- ИИ-серверы HPE стали хуже продаваться, но... (2621)
- Подготовка миссии Artemis 2 к Луне... (3566)
- «Хаббл» прислал первое за четыре месяца... (2544)
- SpaceX и Amazon получат малую часть... (3076)
- Xiaomi представила один из самых доступных... (2830)
- Получены первые прямые снимки термоядерных... (2706)
- Внедорожник Kia, который не оценили. Kia... (2871)
- До 245 Тбайт, PCIe 5.0 и QLC NAND: DapuStor... (2560)
- Руководитель подразделения ИИ-инфраструктуры... (3029)
- Китай временно остался без аварийного... (2673)
- Northrop Grumman испытывает новый... (3360)
- Первые тесты AMD Ryzen 7 9850X3D с огромным... (4137)
- 32 дюйма, QLED, Google TV — всего 150... (3816)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...