- После обновления Tesla разрешила водителям... (2677)
- Samsung Galaxy A36 и Galaxy A56 вошли в... (2413)
- NASA завершило сборку преемника «Хаббла» —... (2561)
- Мини-ПК объёмом менее 9 литров, но с... (3393)
- Индия собралась принудительно включить... (3992)
- «Не могу дождаться, чтобы эмоционально себя... (2614)
- Орды жуков, яростные бои и культовое оружие:... (2502)
- Эффект утильсбора? В России сильно выросли... (2503)
- В России взлетели продажи Mercedes-Benz,... (2994)
- Dell и Lenovo предупредили клиентов о... (2618)
- Распродажа завершается: дилеры урезали... (3193)
- Gemini 3 получил «самый продвинутый режим... (3466)
- Видео: новый человекоподобный робот Unitree... (2629)
- 286 миллионов километров от Земли: NASA... (2676)
- Тодд Говард подтвердил, что The Elder... (3982)
- В Москве запущено тестовое производство... (3864)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...