- Первые живые фото Xiaomi 17 Ultra утекли в... (3464)
- Преждевременный анонс: АвтоВАЗ представил... (2956)
- Безоговорочная победа: Ford Puma не оставил... (10877)
- Космонавты адаптировались к невесомости.... (2845)
- Японцы из Subaru опередили Toyota, BMW и... (3508)
- JAC RF8 оказался дешевле российского Sollers... (3779)
- Хакеры Everest взломали Asus и украли более... (2959)
- Хакеры украли исходный код ПО для камер... (3374)
- В Apple продолжается исход топ-менеджеров —... (3281)
- В следующем году Apple простится с ещё двумя... (3514)
- Антирекорд Apple: iPhone Air за десять... (3248)
- Valve работает над Lepton — надстройкой на... (2935)
- Valve разрабатывает технологию Lepton для... (2788)
- Глава AMD Лиза Су подчеркнула, что готова... (3280)
- Названы планшеты, которые россияне покупали... (3637)
- AMD повысила цены на все видеокарты Radeon... (3314)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...