- M**a попытается починить поддержку... (3105)
- Новая статья: Обзор российской системы... (3408)
- Новая статья: Уйти от CISC — пойти на RISC:... (3114)
- $100-млрд мегасделка NVIDIA и OpenAI дальше... (3004)
- AMD незаметно выпустила шестиядерник Ryzen 5... (3054)
- Продажи складных смартфонов взлетели в... (2980)
- И всё-таки они вертятся — учёные обнаружили... (2987)
- AWS анонсировала 192-ядерные серверные... (3410)
- Спустя почти 20 лет серия Total War... (4055)
- Это модуль с процессором Arm для модульного... (3859)
- Nvidia выпустила драйвер с поддержкой... (3950)
- Новый Tank на Ryzen, и это вовсе не... (2937)
- В России заблокировали второй сервис за... (3626)
- Очередной баг в Windows «слепит»... (4794)
- Всего четыре процессорных ядра, зато... (3753)
- Roblox Corporation отреагировала на... (4211)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...