- Продажи складных смартфонов взлетели в... (2986)
- И всё-таки они вертятся — учёные обнаружили... (2988)
- AWS анонсировала 192-ядерные серверные... (3411)
- Спустя почти 20 лет серия Total War... (4060)
- Это модуль с процессором Arm для модульного... (3862)
- Nvidia выпустила драйвер с поддержкой... (3951)
- Новый Tank на Ryzen, и это вовсе не... (2940)
- В России заблокировали второй сервис за... (3627)
- Очередной баг в Windows «слепит»... (4797)
- Всего четыре процессорных ядра, зато... (3754)
- Roblox Corporation отреагировала на... (4217)
- Биткоин упал на 36 % от недавнего... (4757)
- После волны недовольства Nvidia добавила... (3336)
- Роскомнадзор признался, что незаметно... (3983)
- «The Last Night, которую мы не получили»:... (3672)
- Метавселенная Цукерберга схлопывается — M**a... (2736)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...