- Камера даже чуть хуже, но мощность зарядки... (2748)
- Текущая катастрофа на рынке ОЗУ образовалась... (3017)
- Аудитория условно-бесплатного ролевого... (4450)
- Китайская замена Land Cruiser получила... (3179)
- AMD случайно подтвердила подготовку Ryzen 7... (3822)
- В Китае построили тоннелепроходческий... (2625)
- Microsoft снова немного «сломала» Windows... (3623)
- Психологический хоррор The 9th Charnel о... (3499)
- В России взлетели продажи Lexus — почти на... (2596)
- На процессоре будет установлен большой куб... (3325)
- Samsung станет крупнейшим производителем... (3748)
- Продажи системных плат рухнули вдвое из-за... (3102)
- Мощнейший в мире рентгеновский лазер... (3521)
- Российские водители жалуются на опасную... (3499)
- SpaceX получила одобрение на использование... (3050)
- В России продают «Запорожец» в состоянии... (2785)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...