- Спасательный аппарат NASA для сохранения... (4067)
- Халявы стало меньше. Google пересмотрела... (4301)
- Tesla подсмотрела у китайских конкурентов... (4483)
- Смартфоны Poco M7 и Redmi Note 14 сочетают... (4113)
- Приложение Apple «Подкасты» ведёт очень себя... (4040)
- Приложение Apple «Подкасты» ведёт очень себя... (3562)
- Бывший сценарист inXile рассекретил, когда... (4233)
- Intel готовит нас к GPU с потреблением 5... (4393)
- Core Ultra 9 285K за год стал быстрее в... (6426)
- Сюда можно будет установить новые 86-ядерные... (4252)
- В Китае похвастались разработкой... (11456)
- Люди даже не представляют, насколько ИИ... (4268)
- Россияне показали преданность брендам своих... (4931)
- Это RTX 5090 с жидкостным охладителем и... (4936)
- Велосипедный хоррор Quite a Ride от... (4584)
- Астрономы обнаружили молодую звезду с... (4796)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...