- Москвичи и не только массово пожаловались на... (5051)
- Блогер показал разборку iPhone 17 и... (4320)
- Google урезала бесплатный доступ к Gemini 3... (10334)
- Производитель легендарных Cherry MX... (4963)
- Двигатель «ушёл» под днище: в России у... (5865)
- Ему не нужны ни чехол, ни плёнка. Первый... (5267)
- Яндекс выпустил новый фен 2-в-1 под... (4904)
- Kia с мотором от Hyundai Solaris, с... (5077)
- Первый в мире флагман на Qualcomm Snapdragon... (4506)
- Два сверхъярких OLED-экрана, уникальный... (4477)
- Два сверхярких OLED-экрана, уникальный... (4650)
- Мини-флагман с большим характером,... (4715)
- Volkswagen и BMW практически пропали с... (4550)
- «С тех пор игра сильно изменилась»: Ubisoft... (4735)
- Аккумулятор 8300 мАч, 100 Вт, 165 Гц, первый... (5736)
- Неубиваемый Moto G Power (2026) показали... (5740)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...