- В Китае похвастались разработкой... (11492)
- Люди даже не представляют, насколько ИИ... (4282)
- Россияне показали преданность брендам своих... (4952)
- Это RTX 5090 с жидкостным охладителем и... (4945)
- Велосипедный хоррор Quite a Ride от... (4586)
- Астрономы обнаружили молодую звезду с... (4804)
- Россиянин отсудил у Toyota рекордные 36 млн... (4627)
- Samsung разрабатывает совершенно новую... (4306)
- Партнёры OpenAI набрали долгов на $100 млрд,... (5522)
- Затопят — раз и навсегда. Модули МКС не... (3810)
- Таможни Приморья начали работать... (6511)
- Технологический сбор на смартфоны составит... (6391)
- SSSTC выпустила SSD на 15,36 Тбайт с... (4384)
- Насколько россияне лояльны к брендам своих... (5519)
- 7000 мА·ч, 80 Вт, ИК-излучатель, 200 Мп и... (6772)
- Новые смартфоны Honor GT2 сертифицированы в... (7104)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...