- Охват HyperOS 3 расширяется: Poco... (5002)
- «Союз МС-28» на ракете Союз-2.1а» ушел в... (5356)
- Большой и экономичный кроссовер готов к... (4092)
- HSBC: OpenAI придётся где-то найти ещё $207... (5561)
- Нетоксичное и дармовое: учёные создали... (4298)
- Китайские разработчики отправляют ИИ учиться... (4295)
- Создатели The Alters объявили дату выхода... (4797)
- Человекоподобные роботы UBTech начнут... (4255)
- Второй МС-21 с полным импортозамещением... (4556)
- Современный седан с запасом хода более 2000... (4380)
- «Супербыстрая зарядка 3.0» для смартфонов... (4581)
- Почти 5 Гбайт на квадратный миллиметр:... (6099)
- Атмосфера Марса вовсю искрит, выяснил... (3854)
- Дизайнер превратил кроссовки Nike в... (5998)
- Intel охотится за инженерами TSMC в Аризоне... (4783)
- Opera добавила в ИИ-браузер Neon минутные... (5752)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...