- Кризис закончился? АвтоВАЗ возвращает полную... (3882)
- Toyota — главный локомотив отрасли.... (5751)
- CD Projekt подтвердила, что не покажет The... (6138)
- Флагманская камера 200 Мп, 8000 мАч, 80 Вт,... (5853)
- «Союз МС-28» получил «добро»: старт уже... (4821)
- xAI потратит $375 млн на аккумуляторное... (4855)
- Выручка производителей памяти DRAM в прошлом... (5434)
- Выручка производителей памяти DRAM в прошлом... (4811)
- Li Auto представила собственный процессор... (5881)
- Audi услышала: компания отказывается от... (5659)
- Полный привод, новый интерьер, зимний пакет,... (5754)
- Кризис спроса на Lada: АвтоВАЗ переведут на... (4027)
- Кризис спроса на Lada: АвтоВАЗ переведут на... (3839)
- Li Auto начинает выпуск собственных... (4579)
- Intel уверена в невиновности нанятого ею... (6200)
- Даже BYD ощущает конкуренцию: компания... (7092)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...