- Премьера финального сезона «Очень странных... (4072)
- «Т-Банк» предлагает поиздеваться над... (4362)
- Комариный хоботок приспособили под сопло для... (5514)
- ИИ-пузырь получил соседа: Пекин предупредил... (3878)
- «Базис» идёт на IPO в... (3785)
- Всё по графику: корабль «Союз МС-28» с новым... (5366)
- В России начались продажи 12-дюймового... (4669)
- У межзвёздной кометы 3I/ATLAS сохраняется... (4764)
- ИИ-помощник Сбера GigaChat отправился на МКС... (4377)
- Процессоры Huawei Kirin 9030 и Kirin 9030... (5265)
- «Гаражная» компания запустила предзаказ на... (5319)
- Sony представила свой первый 200-Мп сенсор... (4604)
- OpenAI признала утечку данных пользователей... (4803)
- Падающую на Землю обсерваторию NASA Swift... (4749)
- OpenAI в суде заявила о «неправильном... (4137)
- Поделись тарифом и получи бонус: Yota... (4454)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...