- Всего 7,9 млн рублей за большой кроссовер с... (3492)
- «ChatGPT — это продукт, а не друг»:... (6061)
- Ubisoft представила Teammates — прототип... (6114)
- Очередной рекорд разгона DDR5 — покорена... (3937)
- Пожизненный доступ к злодейскому ИИ WormGPT... (4435)
- Россия доставила во Францию ключевое... (7439)
- Суд запретил OpenAI использовать слово... (4255)
- Твердотельные трансформаторы сингапурской... (3371)
- iPhone 17 переворачивает рынок: Apple близка... (4604)
- Apple выпустит iPad mini с OLED-дисплеем в... (3332)
- Airbus чуть не остановила выпуск самолётов... (3868)
- ИИ может заменить половину рабочих мест в... (4100)
- Трамп хочет обучать американских... (3405)
- Дрон Amazon перерезал линию связи в Техасе —... (4939)
- Злополучный Boeing Starliner снова начнёт... (4212)
- YouTube исправит «предложку» — тестируется... (5502)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...