- Будет ли это революция, сродни выходу... (5724)
- Производители чипов памяти заметно нарастили... (4409)
- Оригинал учредительных документов Apple 1976... (5807)
- Thunderobot представила игровой ПК на... (6082)
- Cyberpunk 2077 стала главным источником... (6008)
- Вдохновлённый Dead Space хоррор Cronos: The... (5246)
- Seagate создала магнитный диск на 6,9 Тбайт... (6687)
- «Новый год пришёл раньше времени»: Sony... (4635)
- TSMC сообщила о старте серийного... (3427)
- Быстрый SSD размером с SD-карту. Lexar... (5983)
- Быстрый SSD в формате SD-карты. Lexar... (5525)
- Быстрый ИИ-SSD в формате SD-карты. Lexar... (4543)
- Продажи Cyberpunk 2077 превысили 35... (3989)
- Nvidia поприветствовала успехи Google на... (4447)
- ЕС откажется от сканирования переписок —... (6061)
- Новый геймплейный трейлер Warhammer 40,000:... (6075)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...