- Популярный в Китае электромобиль BYD Yuan UP... (6167)
- Современная замена старым ПАЗикам. В России... (3944)
- Будущий Samsung Galaxy A37 засветился в... (4188)
- 9000 мАч, топовый экран и Snapdragon 8s Gen... (5196)
- Представлен совершенно новый Nissan Frontier... (4839)
- Декабрьский сюрприз от Samsung:... (3867)
- NASA развенчало миф о подлёдном озере на... (6403)
- NASA развенчало миф о подледном озере на... (4492)
- Кабина ЗИЛ-157 и 5,5-литровый V8 от «Чайки»:... (4422)
- Пользователи совсем неохотно переходят на... (7212)
- Dell предупредила о стагнации рынка ПК... (5137)
- Nova Lake-S не потребует новых кулеров:... (4964)
- «Союз МС-28» стартует к МКС с Байконура:... (4444)
- Новая статья: Обзор и тест процессорного... (4385)
- Новая статья: Уйти от CISC — пойти на RISC:... (4712)
- HP начнёт «недосыпать» память в новые ПК — и... (4274)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...