- Смартфон HUAWEI Pura 80 Pro как... (3058)
- «Чёрная пятница» в «Пассворке»: скидка 50 %... (3489)
- Редкие «ТурбоVesta» появились в продаже: до... (3152)
- От дебюта на Vesta Night до статуса... (3304)
- В России на одну зарядную станцию в среднем... (3071)
- Передача файлов между Android и iPhone по... (3679)
- IBM утроила вместимость СХД Storage Scale... (3760)
- Ремейк Prince of Persia: The Sands of Time... (3439)
- Россияне выбирают Voyah Free и Li L7.... (3266)
- ИИ-ускорители устаревают быстрее, чем... (3646)
- Самый простой и дешёвый Belgee X70 убрали из... (3504)
- Скептики утверждают, что ИИ-ускорители нужно... (3680)
- В России растёт интерес к... (3637)
- Китайские гиганты готовят конкурентов ещё... (3376)
- Кардинально обновлённый Changan CS55 Plus с... (3218)
- Huawei Mate 80 Pro Max рассекретили за день... (4044)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...