- Новый флагман Intel получит 86 ядер при TDP... (4304)
- Mercedes-Benz G63 Carlex Sky Vintage 2025... (4259)
- Приложение для вайб-кодинга LingGuang стало... (4021)
- Это уже не разовая просадка, а накопленный... (3307)
- Японцы начали массово скупать ёмкие microSD... (4518)
- Infinix HOT 60 Pro+ — лёгкий и надёжный... (4000)
- Выбираем в «Чёрную пятницу» гаджеты от... (3980)
- Смартфоны Poco F7 Pro, Poco F6 Pro и Poco M7... (4207)
- Турбированная мощь: уникальная Lada Niva с... (3885)
- Эта лазерная система сбивает дроны,... (3662)
- Jetour влетел в топ российского рынка... (3455)
- Популярный электрический кроссовер BYD Yuan... (3528)
- Гуманоидные роботы Figure 02 вышли на пенсию... (3210)
- Москвичи ежегодно тратят на видеоигры 320... (3776)
- А есть ли прогресс? iPhone 17 Pro Max... (3934)
- Цукерберг и топ-менеджеры M**a откупились от... (3036)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...