- Linux-ноутбук на Snapdragon X1 Elite отменён... (3557)
- Это самая мощная видеокарта из коробки,... (3012)
- TeamGroup выпустила SSD с физической красной... (2932)
- Valve точно не будет субсидировать Steam... (2835)
- Первые 150 сертифицированных в России... (2910)
- «Проводник» в Windows 11 наконец-то станет... (3096)
- В России продают уникальный шестиколесный... (3331)
- Mazda продлевает жизнь Mazda2, которой уже... (3925)
- Gemini 3 впечатлил не только Альтмана —... (3169)
- Учёные впервые создали полностью... (2970)
- Будущее на кончике пальца: создан пластырь,... (2986)
- Две 200-мегапиксельные камеры, экран 2К и... (2963)
- Joby испытала версию электролёта S4 со... (3261)
- Спустя 11 лет после приобретения бизнеса IBM... (2954)
- В России взлетели продажи подержанных... (3329)
- Металлическая рамка и аккумулятор емкостью... (3529)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...