- Космический марафон SpaceX: Falcon 9 не... (2251)
- Европейский лунный посадочный модуль... (2986)
- Ракету «Союз-2.1а» с пилотируемым кораблём... (3239)
- Этот космический корабль проведет 8 месяцев... (3713)
- В Дубае завершили возведение ключевого... (3211)
- Первый Super Heavy нового поколения пришлось... (2368)
- Рост цен на память должен замедлиться только... (2521)
- В условиях растущего дефицита поставщики... (2716)
- По итогам третьего квартала выручка... (2435)
- Беспилотные такси Waymo смогут расширить... (3256)
- Первый пациент Neuralink рассчитывает... (3081)
- Новый Toyota Hilux уже представлен, но... (3354)
- Ноябрьский патч для Galaxy S25, Galaxy S25... (4506)
- SpaceX не отчаивается: несмотря на то, что... (4596)
- Новый Hyundai Tucson станет «кирпичом на... (3297)
- Новая статья: The Outer Worlds 2 — галактика... (4658)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...