- Металлическая рамка и аккумулятор емкостью... (3529)
- Возвращение легенды: новый рамный Nissan... (2963)
- Спутник Arase зафиксировал рекордное сжатие... (4043)
- «Поэтический джейлбрейк»: стихи оказались... (2630)
- Прощай, атмосферник: флагманский внедорожник... (3153)
- X распродаёт имена пользователей: от... (3241)
- Google опровергает слухи об использовании... (2582)
- SpaceX Falcon 9 слетала в космос 150 раз с... (3702)
- 1000 Вт — высочайшая энергоэффективность,... (3033)
- 1000 Вт — высочайшая энергоэффективность,... (3339)
- Первый в истории смартфон Samsung в таком... (3593)
- Новый монстр Redmi K90 Ultra получит большой... (2356)
- Anthropic показала, как модель обходит... (2733)
- Anthropic показала как модель обходит... (2569)
- Глава Nvidia признал, что компания оказалась... (3516)
- Toyota Supra, Prius, C-HR и новый Land... (3597)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...