- В США испытали беспроводное питание для... (4249)
- Snapdragon 8 Gen 5, экран 1,5K 165 Гц, 8000... (2655)
- Lada Iskra не щадили: машины нагревали до 80... (4174)
- АвтоВАЗ впервые начал проверять машины на... (4370)
- Обновленный Geely Okavango оценили в Китае... (3022)
- 200 дюймов с расстояния несколько... (2665)
- Как снимают Huawei Mate 80 Pro, Mate 80 Pro... (2616)
- Mini, который окажется быстрее Ultra.... (4714)
- У Huawei появился премиальный бестселлер:... (2903)
- Новые флагманские смартфоны с активным... (2944)
- Водонепроницаемые смартфоны на Snapdragon 8... (3018)
- Китайский УАЗик получил новый кузов:... (2924)
- Можно было бы выпускать и больше: линия по... (3917)
- АвтоВАЗ признал низкий спрос на Lada Aura.... (5676)
- Японский «заменитель TSMC» получит от... (2720)
- В ближайшие пару лет власти Японии поддержат... (2651)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...