- Даже это не спасёт рынок. Hynix намерена... (4233)
- В Steam стартовала бесплатная раздача... (2976)
- Huawei пообещала флагманам Mate 80... (2715)
- Huawei научилась создавать конкурентов для... (2907)
- «Просить больше казалось неправильным»:... (3017)
- Google теперь использует письма... (2511)
- У Grok сломался регулятор подхалимства к... (2692)
- NASA собрало сверхтяжёлую ракету SLS,... (3549)
- Разработчики Nioh 3 раскрыли системные... (2487)
- Камера iPhone Air примерно на уровне Google... (3929)
- В США впервые разрешили испытания на людях... (2807)
- МТС, «МегаФон» и Т2 пригрозили «Билайну»... (4259)
- Каждый четвёртый россиянин хотя бы раз в... (2325)
- Мировой Интернет умер — снова проблемы с... (3331)
- OnePlus 15 царапали, гнули, поджигали и в... (3981)
- «Произошёл сбой во время испытаний газовой... (4447)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...