- «Проводник» в Windows 11 будет автоматически... (4417)
- Биткоин рухнул вслед за акциями... (4333)
- Microsoft тихонько признала наличие проблем... (3980)
- Соцсеть X запустила маркетплейс редких и... (2913)
- 6500 мАч и 45 Вт за очень мало денег? В Сети... (2855)
- Каким будет новый самый дешёвый iPhone.... (3350)
- Intel страдала от бюрократии и... (4135)
- Знакомимся с новым процессором Intel... (2879)
- Стилус, американский бренд и ноль изменений... (3035)
- Google опровергла «вводящие в заблуждение»... (4335)
- Суд намерен устранить монополию Google в... (2971)
- Суд намерен устранить монополию Google в... (2788)
- Хакеры взломали приложение Gainsight и могли... (2755)
- Россияне стали больше слушать радио после... (4469)
- В США испытали беспроводное питание для... (4249)
- Snapdragon 8 Gen 5, экран 1,5K 165 Гц, 8000... (2655)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...