- Основным новшеством iPhone Air второго... (4722)
- 200 Мп, Snapdragon 8 Gen 5, 8000 мА·ч, 80... (3823)
- Всю линейку Huawei Mate 80, Huawei Mate 80... (4484)
- LG зарегистрировала новые товарные знаки в... (3170)
- До Земли дошёл последний выброс от мощнейшей... (4476)
- Со следующего года Apple перейдёт на иной... (3123)
- Tesla готовит «сверхчеловеческую» кисть... (3281)
- SpaceX планирует посадку на Луну в июне 2027... (4567)
- «Macintosh, iPhone, ChatGPT». Первого робота... (4005)
- Создатель Android Энди Рубин основал... (4915)
- Создатель Android Энди Рубин создал компанию... (4173)
- Запас хода до 1615 км с расходом при... (4504)
- Intel готовит процессоры с 384 МБ кеш-памяти... (4146)
- Капитализация Oracle рухнула на 30 % с того... (2950)
- Intel предложит только 16-канальные CPU.... (3204)
- Новая статья: Лучший процессор за 20 тысяч... (3031)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...