- Сроки окупаемости ускорителей ИИ остаются... (3965)
- Apple ускорила поиски нового генерального... (4063)
- Суд постановил, что Apple должна выплатить... (4390)
- Производители памяти задерживают выпуск... (4022)
- У абонентов «Ростелекома» в ряде регионов РФ... (4554)
- Ubtech опередила Tesla и Xpeng и первой... (4284)
- На Луне впервые нашли... (3453)
- Новый запуск ракеты Blue Origin New Glenn не... (3577)
- В соцсети X появился полноценный мессенджер... (2993)
- Valve сделает из карт microSD замену игровым... (3083)
- Sharp выйдет на рынок перовскитных солнечных... (4092)
- Лип-Бу Тан лично возглавил ИИ-отдел Intel... (3003)
- Солнечная и ветровая энергия впервые могут с... (4148)
- Солнечная система летит по Вселенной почти в... (2866)
- OpenAI замаскировала характерный признак... (2920)
- Google потратит на строительство трёх новых... (4195)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...