- На строительство ЦОД в этом году будет... (4469)
- Porsche разрабатывает гибрид с осевым... (4225)
- Asus заранее предупреждает о возможном... (3996)
- Jeep Wrangler снова получил мотор HEMI V8 —... (2869)
- Samsung готовит новый Galaxy A37: прошивка... (2793)
- Это консоль из мира ПК. Valve представила... (2937)
- Samsung начала продавать восстановленные... (2289)
- Разгоняться до 100 км/ч быстрее 5 секунд... (4646)
- Новая статья: Обзор и тестирование стильного... (2466)
- Ещё один способ пополнить аудиторию... (3664)
- Российские учёные создали... (3536)
- Хоррор об ужасах долговой ямы CloverPit... (2565)
- Valve представила игровой контроллер Steam... (2734)
- OpenAI представила GPT-5.1 — ChatGPT станет... (3115)
- Valve представила Steam Frame — VR-шлем с... (4299)
- Kioxia выпустила SSD Exceria Basic PCIe 4.0... (2980)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...