- МТС ускорит отключение 3G — россияне почти... (2557)
- Valve возродила Steam Machine — теперь это... (2621)
- Разработчики Vampire: The Masquerade —... (2341)
- Even Realities представили смарт-очки Even... (2293)
- В Китае представлен 7-местный минивэн Wuling... (2678)
- «Безмерно благодарны вам»: продажи Kingdom... (2529)
- В Париже открылась фотовыставка «Мир, я и... (2429)
- Акции AMD взлетели на 10 %: Лиза Су убедила... (2557)
- Новый Audi A6 Avant 2025 едет в Россию:... (2354)
- В MIT придумали чипирование без хирургии —... (2311)
- Новый магистральный тепловоз «Мишка»... (2557)
- Cooler Master выпустила компактный модульный... (2812)
- Криптопроект Сэма Альтмана забуксовал —... (2494)
- Nintendo показала первый трейлер фильма... (2558)
- AMD подтвердила, что в новых Radeon... (4239)
- Google подала в суд на китайскую... (2545)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...