- Это как если бы каждый владелец iPhone... (3565)
- Даже китайцы не хотят его копировать. Apple... (2585)
- 80% новых машин на рынке РФ будут... (3156)
- Почти полтеррабайта памяти на один чип. AMD... (2599)
- Таким может быть iPhone Air 2: инсайдер... (3656)
- Xiaomi стали самыми продаваемыми смартфонами... (2603)
- Индия проверила «страховку жизни»... (3375)
- Ещё больше года ждать по-настоящему новых... (3093)
- Ржавую праворульную «Ниву» из Японии продают... (3333)
- Google вводит жёсткие меры против... (2518)
- Спутники фиксируют экстремальное... (3639)
- Дополнение к Elden Ring Nightreign добавит в... (2931)
- Первый робот-гуманоид, которого не нужно... (3469)
- Суперкомпьютер Jupiter впервые полностью... (3676)
- Google представила приватное облако для... (2259)
- Google представила своё частное облако для... (2907)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...