- Новая статья: Обзор умных часов HUAWEI WATCH... (2972)
- Культовый Lamborghini Diablo с пробегом... (2520)
- БелАЗ модернизировал ключевой цех впервые за... (2619)
- Бывший автозавод «ПСМА Рус» в Калуге, где... (3001)
- На ПК и консолях вышла сюжетная ролевая игра... (2633)
- Процессоры Ryzen на архитектуре Zen 6 в... (3223)
- Microsoft продала всего 11 копий этого... (2592)
- Google научила «Фото» снимать очки,... (3075)
- Intel всего за неделю лишилась сразу двух... (3262)
- «Тут плохо всё»: ремастер ролевого экшена... (3456)
- Представлен первый российский... (3000)
- iKS-Consulting: российский рынок облачных... (2987)
- Последнее дополнение к Atomic Heart отправит... (4047)
- «Просто мерзость»: релиз Fallout 4:... (3322)
- Пищу для астронавтов будут делать из мочи —... (4139)
- AMD приобрела ИИ-стартап MK1, созданный... (3053)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...