- «Билайн» заказал 2000 отечественных базовых... (2428)
- Рынку ИИ нужны не только GPU. Рост рынка... (2536)
- Всё для победы: Пекин вмешался в... (2398)
- «Критический погодный день» на 36 часов... (2776)
- Российские компании начнут штрафовать за... (2413)
- Индия стала ближе к запуску людей в... (2153)
- 600 млрд долларов в экономику США за три... (2287)
- Новое поколение V8: мощнее, экономичнее и... (2441)
- Orion soft представил в zVirt 4.5 папки... (2722)
- Эмуляция Steam-игр на Android теперь... (2316)
- В Германии строят крупнейшее в Европе... (3539)
- Кремниевый аккумулятор 8000 мА·ч, Snapdragon... (3361)
- OnePlus 15 с отрывом опередил iPhone 17 Pro... (3559)
- ByteDance запустила самого дешёвого... (2344)
- Глава Windows заявил, что система... (2320)
- Никакого ИИ на самом деле не было. Двое... (2131)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...