- «Просто мерзость»: релиз Fallout 4:... (3329)
- Пищу для астронавтов будут делать из мочи —... (4145)
- AMD приобрела ИИ-стартап MK1, созданный... (3056)
- 25 компьютеров с разницей в 50 лет в одном... (4393)
- У ноутбуков с Windows 11 появится аналог... (4578)
- Google объявила войну приложениям,... (2965)
- Музыкальное приключение Mixtape от... (2680)
- Бывшая Yandex N.V. взлетела — выручка Nebius... (2889)
- Экзоскелет из Death Stranding 2 стал... (2882)
- Нужно ещё больше чипов. TSMC достигла... (2574)
- По телевизорам Samsung начал расселяться... (2576)
- Ветеран разработки Windows протестировал 25... (2854)
- Домен .рф отмечает юбилей: 15 лет с начала... (2637)
- Samsung намерена вернуть к прибыльности своё... (2718)
- Быстро, но недалеко: Kyocera объявила о... (3059)
- Sony разочаровалась в Destiny 2 и признала... (3692)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...