- В сервисе «VK Видео» обновился детский... (3816)
- Календарь релизов 10 – 16 ноября: CoD: Black... (3811)
- 7000 мАч, 90 Вт, 200 Мп и 30-кратный зум,... (4651)
- Toyota предлагает 40 лет на одном... (4012)
- Живой Илон Маск или обманка? В Wildberries... (3932)
- Foxconn и Nvidia запускают фабрику будущего... (4377)
- Это крошечный поезд, который ездит прямо по... (3538)
- От громоздких систем к прибору «на ладони»:... (5406)
- «Магический угол» в действии: физики увидели... (5731)
- Энтузиаст превратил 500 вейпов в... (3487)
- Micron задержит строительство мегафабрик... (5140)
- Чудовищно огромные и сложные GPU Nvidia Vera... (3520)
- Один из уволенных Intel сотрудников решил... (3898)
- «Ведомости»: российские операторы связи... (6355)
- «Ведомости»: операторы связи в России будут... (3088)
- Apple разрабатывает собственный... (4287)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...