- Семейный кроссовер белорусской сборки быстро... (3130)
- Россияне оплатят поддержку отечественной... (4246)
- Skoda снова популярна в России, продажи за... (3372)
- Отечественный Tenet уже обошёл Belgee, а... (5311)
- Сразу после Nubia Z80 Ultra и Red Magic 11... (4049)
- ИИ-бум пошёл на спад — рост выручки TSMC... (3167)
- ИИ-бум пошёл на спад — рост выручки TSMC... (3593)
- Выживание гномов The Lord of the Rings:... (5449)
- SpaceX готовится к Starship нового... (5138)
- Фабрика токенов: Nebius, бывшая Yandex NV,... (5039)
- «Билайн» запустил «Антифишинг» с блокировкой... (5850)
- Илон Маск показал на фото строительство... (6310)
- Samsung ввела расширенную гарантию на... (4092)
- Владивостокская таможня побила рекорд: до... (7496)
- Задержек не будет: Galaxy S26, Galaxy S26... (3210)
- Самый передовой смартфон производителя:... (6034)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...