- Poco F8 Pro (глобальная версия Redmi K90) со... (3419)
- Самый продаваемый электромобиль в Китае в... (3249)
- Сборку процессоров Baikal M в России... (4046)
- Первым смартфоном на базе Snapdragon 8 Gen 5... (3171)
- Неделя рекордных потерь для ИИ:... (3231)
- Новый тренд? Инсайдер сообщил о новой серии... (3002)
- Belgee X50 сделал своё дело: Geely Coolray... (3016)
- Xiaomi 17 Ultra будет полноценным... (3187)
- Владелец FromSoftware проговорился, когда... (3906)
- Китайский ответ Starlink: Поднебесная... (3290)
- От Hakuto-R к лунной инфраструктуре: Япония... (3307)
- Ugreen предлагает пауэрбанк Nexode 165 Вт... (3806)
- Завод, который молчал 10 лет: производство... (3179)
- Этот купе-кроссовер проедет до 325 км без... (4287)
- Дизель от Ford, полный привод, понижающая... (4397)
- Монтана стала первым штатом, который... (4055)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...