- 12-ступенчатый «автомат», карбоновые рама,... (4149)
- Антибликовое сапфировое стекло, 23 месяца на... (4128)
- В России разработают отечественную САПР для... (4389)
- Apple представила Watch Series 12 и Ultra 4:... (4118)
- Новая статья: Обзор ИБП Ippon Simple 650... (3660)
- Новая статья: ИИтоги июля 2026 г.: где... (3386)
- Без объяснения причин Apple подняла цены на... (2905)
- Галактические альянсы, космические базы и... (3170)
- ИИ написал опасного червя для взлома... (3144)
- Представлена крошечная электронная книга... (2955)
- Apple ещё на год продлила бесплатный доступ... (2872)
- Старые iPhone резко подорожали — Apple... (2706)
- Анонсированы Apple AirPods 5 с улучшенным... (3091)
- Apple представила смарт-часы Watch Series 12... (2783)
- Apple объявила дату выхода iOS 27 для всех... (3103)
- Представлен Apple A20 Pro — первый в мире... (2703)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...