- Rockstar «достаточно уверена», что GTA VI... (1644)
- Starlink вместо раций: полиция... (1495)
- Одни из крупнейших сооружений в мире. SpaceX... (1414)
- Новейшие Bentley Bentayga могут загореться... (1643)
- Представлен Zeekr 8X с (1739)
- Игровой контроллер для iPhone и Android.... (1434)
- Wi-Fi 7 роутер с 2,5G-портами и скоростью... (1648)
- Один из самых надёжных автомобилей в мире... (1379)
- Samsung представила 130-дюймовый телевизор... (1413)
- Российские космонавты установят на МКС... (1317)
- Госуслуги бьют рекорды: 900 млн заказанных... (1324)
- 165 Гц, 8000 мАч, IP69, Snapdragon 8 Gen 5,... (1377)
- «Максимальный» смартфон за 360 долларов.... (1518)
- Новая статья: Итоги 2025 года:... (1499)
- Новая статья: Итоги 2025 года: программное... (1542)
- В AnTuTu назвали лучшие смартфоны по... (1853)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...