- Asus показала флагманские OLED-мониторы для... (2281)
- NASA открыло единый центр управления... (2107)
- Компания Memories.ai представила платформу... (1584)
- Гравитационные волны от слияния чёрных дыр... (2059)
- Потоковый игровой сервис Nvidia GeForce Now... (2099)
- Новая технология LED на лантанидах: учёные... (1633)
- Наноалмазы против радиации: в России создали... (1643)
- Китай совершил прорыв в термоядерном синтезе... (1652)
- «Росатом» представит прототип мегаваттного... (2174)
- Банка Red Bull, которая тянет Doom и Mortal... (1633)
- Роскошный конкурент Toyota Alphard от Geely:... (1667)
- MSI представит на CES 2026 флагманский... (2433)
- Asus отмела слухи о прекращении выпуска... (2413)
- Новый Toyota RAV4 выходит на ключевой рынок:... (2232)
- 32 ТБ данных за 880 долларов. Cамый большой... (2090)
- Новый флагманский Ultra-смартфон на подходе.... (1651)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...