- Apple выпустит на волю новое чудовище... (2664)
- Huawei Mate 70 Air показали со всех сторон... (4547)
- Китай запретил использовать ускорители... (4615)
- Мощнейший процессор Apple M5 Ultra... (4311)
- «Самый мощный смартфон в мире» RedMagic 11... (2504)
- 120 Гц, 7000 мАч, два дня работы без... (4241)
- Китайским властям приходится субсидировать... (2638)
- Xiaomi не выпустит обновление HyperOS 3.1... (4440)
- Xiaomi не выпустит обновление HyperOS 3.1... (4817)
- Четвёртый сезон «Ведьмака» от Netflix... (2418)
- 7000 мАч, IP64, 120 Гц, IP64,... (4357)
- Valve научила Steam Deck скачивать игры с... (2275)
- Это почти тот же Ryzen 7 9800X3D, только... (5170)
- Лучший процессор для портативных консолей с... (4602)
- Совершенно новый Geely Emgrand с «лицом»... (2346)
- «Самый крутой смартфон, который я когда-либо... (2834)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...