- 120 Гц, 7000 мАч, два дня работы без... (4262)
- Китайским властям приходится субсидировать... (2650)
- Xiaomi не выпустит обновление HyperOS 3.1... (4504)
- Xiaomi не выпустит обновление HyperOS 3.1... (4820)
- Четвёртый сезон «Ведьмака» от Netflix... (2428)
- 7000 мАч, IP64, 120 Гц, IP64,... (4374)
- Valve научила Steam Deck скачивать игры с... (2283)
- Это почти тот же Ryzen 7 9800X3D, только... (5184)
- Лучший процессор для портативных консолей с... (4622)
- Совершенно новый Geely Emgrand с «лицом»... (2353)
- «Самый крутой смартфон, который я когда-либо... (2843)
- Пример Tesla заразителен: Rivian создала... (3121)
- Бывший российский завод Toyota готовится к... (4719)
- «Китайский Cadillac» GAC GS8 подорожал в... (4355)
- Дешёвый автомобиль с батареей CATL, которую... (5451)
- В России подорожали кроссоверы GAC GS8 и... (4552)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...