- «Теперь и поиграть можно»: в Titan Quest 2... (3185)
- На задворках Вселенной рекордно полыхнуло —... (5039)
- Xpeng представила самого человекоподобного... (5349)
- Sharp выпустила компактный смартфон с 240-Гц... (5112)
- Epic Games победила в борьбе за открытый... (3340)
- Разработчики Kiborg анонсировали безумную... (5424)
- В «Google Картах» появился ИИ-ассистент... (5364)
- Сто лет проклятия: анонсирован семейный... (3660)
- Жители СНГ теперь могут пользоваться... (3365)
- Разработчики рассказали, каким будет... (3108)
- OpenAI выпустила генератор видео Sora для... (4929)
- Возвращение тайконавтов со станции «Тяньгун»... (5034)
- Данные о переписках россиян теперь будут... (5118)
- Два спутника системы «Метеор-М» введут в... (3600)
- Amazon пригрозил засудить Perplexity за... (4748)
- Важная победа ИИ: Stability AI выиграла суд... (5067)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...