- SK hynix зарабатывает больше всех на памяти... (2243)
- В России стартовали продажи смарт-часов... (3041)
- Генеральный прокурор Делавэра пригрозила... (3454)
- SpaceX займётся строительством центров... (2286)
- Илон Маск пообещал продемонстрировать Tesla... (2759)
- Стильный игровой мини-ПК с 20-ядерным Core... (3867)
- Lada Granta, Lada Iskra и три «китайца»:... (2833)
- MediaTek задаст новый уровень для... (2599)
- В октябре в мире было выполнено 25... (4033)
- Представлен новый Geely... (2489)
- «Ноль смертей, ноль аварий» — новая... (3536)
- Windows 7 «упаковали» в 70 МБ — и она... (4576)
- Китай побил собственный космический рекорд:... (4387)
- Обновленный Geely Monjaro появится в России... (2748)
- Windows 11 научится воспроизводить музыку на... (3488)
- Межзвёздная комета 3I/ATLAS неожиданно... (4532)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...