- Samsung продала все чипы памяти HBM4 на 2026... (2540)
- Western Digital наконец-то взялась за... (2820)
- Производством Samsung будет управлять ИИ.... (2833)
- Как превратить базовый iPhone 17 Pro Max... (2758)
- Самый быстрый SSD для обычных пользователей?... (1977)
- Intel устроила «охоту» на бывшего старшего... (1963)
- Как раз к зиме: Xiaomi представила умную... (1926)
- Китайцы стали активнее покупать Toyota. За... (2433)
- GeForce RTX 3060 снова сильнее всех, а... (4333)
- Radeon RX 9070 XT наконец-то начала дешеветь... (4109)
- Представлен Vivo Y19s 5G: 6000 мАч, 90 Гц,... (3538)
- Мощный компьютер в формате мини. Представлен... (2686)
- Xiaomi представила сверхтихий умный... (2269)
- Geely Monjaro, Kia Sorento и Toyota RAV4:... (2564)
- Adobe представила ИИ-инструмент для... (2080)
- Meta* и Эдинбургский университет представили... (1927)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...